IRF540NSTRLPBF – N-Channel Power MOSFET (100V, 33A, D2PAK) | Infineon Technologies

De IRF540NSTRLPBF van Infineon Technologies is een robuuste N-kanaals vermogens-MOSFET, ontworpen voor hoge spannings- en stroomtoepassingen met minimale schakelschade en warmteontwikkeling. Met een Drain-Source spanning van 100V, continue stroomcapaciteit van 33A, en een lage RDS(on) van 44 mΩ (bij 10V, 16A), levert deze transistor betrouwbare prestaties in vermogens- en motorsturingstoepassingen.

De D2PAK-behuizing (oppervlaktegemonteerd) biedt uitstekende thermische prestaties in combinatie met automatische assemblage, waardoor dit component ideaal is voor grootschalige productie en industriële systemen.

Specificaties (Features):

• Type: N-Channel MOSFET
• Drain-Source Voltage (VDS): 100V
• Continue Drain Current (ID): 33A
• RDS(on): 44 mΩ @ VGS = 10V, ID = 16A
• Gate Threshold Voltage: 2V
• Power Dissipation (PD): 130W
• Gate Charge (Qg): 71 nC
• Input Capacitance (Ciss): 1.96 nF
• Reverse Transfer Capacitance (Crss): 40 pF
• Behuizing: D2PAK (TO-263 SMD)
• Bedrijfstemperatuur: -55℃ tot +175℃
• Certificering: RoHS-compliant

Toepassingen (Applications):

• Schakelende voedingen (SMPS)
• DC-motorregelaars en industriële aandrijvingen
• High-efficiency converters en omvormers
• LED-vermogensregelaars
• Vermogenselektronica in consumententoepassingen

Voordelen (Benefits):

• Lage RDS(on) voor efficiënte stroomdoorgifte
• Thermisch efficiënte D2PAK-behuizing voor compacte PCB-oplossingen
• Hoge betrouwbaarheid bij zware belastingen en hoge temperaturen
• Snelle schakelsnelheid voor verminderde schakelverliezen
• Breed inzetbaar in automotive, industrieel en consumentenelektronica